【判断题】
[109][判断]重大及较大风险，应按风险情景构建模式编制应急处置方案，组织演练
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【单选题】
10二极管两端正向电压大于___电压时，二极管才导通。
【单选题】
11当温度升高时，二极管的反向饱和电流 ___ 。
A. 增大；
B. 减小；
C. 不变；
D. 无法判定。
【单选题】
12硅二极管的正向导通压降比锗二极管的___ 。
【单选题】
13三端集成稳压器 CW7906的输出电压是___
【单选题】
14稳压管的工作是利用伏安特性中的___。
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 反向击穿特性
【单选题】
15二极管具有___
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 单向导电特性
D. 反向击穿特性
【单选题】
16图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问___灯最亮。
【单选题】
18在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
19在单相桥式整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
20在半波整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
21在半波整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
22温度影响了放大电路中的___，从而使静态工作点不稳定。
A. 电阻；
B. 电容；
C. 三极管；
D. 电源。
【单选题】
23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是___。
A. [B、C、E]
B. [C、B、E]
C. [E、C、B]
【单选题】
24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___
【单选题】
25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
【单选题】
27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为___
A. 放大状态；
B. 截止状态；
C. 饱和状态；
D. 不能确定。
【单选题】
28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
29在以下三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___；
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC ___uB。
【单选题】
32当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uB___uE 。
【单选题】
33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为，，，说明此三极管处在___。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
【单选题】
34若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是___。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结反偏、集电结反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
【单选题】
35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。
A. 电压串联负反馈
B. 电流串联负反馈
C. 电压并联负反馈
【单选题】
38为了使放大器带负载能力强，一般引入___负反馈。
【单选题】
41为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用___负反馈 i=i1+i2
【单选题】
42为了稳定输出电流，采用___负反馈。
【单选题】
43为了改善放大器的动态性能，应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
44为了稳定放大器的静态工作点，应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
45共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路___能力。
A. 放大差模抑制共模
B. 输入电阻高
C. 输出电阻低
【单选题】
46差分放大电路是为了___而设置的。
A. 稳定Au
B. 放大信号
C. 抑制零点漂移
【单选题】
47分析运放的“虚短”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. U0=Ui
D. U-≈U+≈0
【单选题】
48分析运放的“虚断”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. I-≈I+
D. U-≈U+≈0
【单选题】
51两级放大电路，Au1=-40，Au2=-50，若输入电压U1=5mv，则输出电压Uo为 ___
A. -200mv；
B. -250mV；
C. 10V；
D. 100V
【单选题】
52通用型集成运放的输入级多采用___。
A. 共基接法
B. 共集接法
C. 共射接法
D. 差分接法
【单选题】
53理想运放的两个重要性质是___。
A. 虚短与虚地
B. 虚断与虚短
C. 断路与短路
【单选题】
54振荡器的输出信号最初由___而来的。
A. 基本放大器
B. 选频网络
C. 干扰或噪声信号
【单选题】
55产生正弦波自激震荡的稳定条件是___。
A. 引入正反馈
B. |AF|≥1
C. AF=1
