【判断题】
保密期限需要缩短的，由原确定密级和保密期限的机关、单位或者上级机关决定。
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相关试题
【判断题】
保密期限需要延长的，由原确定密级和保密期限的机关、单位或者上级机关决定。
【判断题】
单位领导要求继续保密的事项，在领导要求的期限内不得解密。
【判断题】
企业的技术成果被确定为国家秘密后，在保密期限内不得擅自解密和对外提供。
【判断题】
各级机关和涉密单位编发的内部工作简报都应定为国家秘密。
【判断题】
制作国家秘密载体应当依照有关规定标明密级和保密期限，注明发放范围及制作数量，并编排序号。
【判断题】
纸介质国家秘密载体应当在本机关、本单位内部文印室或者交保密行政管理部门审查批准的单位制作。
【判断题】
国家秘密载体印制资质单位，使用电子方法排版印制或者打印国家秘密载体的，复制完成后其磁盘内的载体内容可以自行删除。
【判断题】
收发国家秘密载体，应当履行清点、登记、编号、签收等手续。
【判断题】
传递国家秘密载体应当密封包装，装载国家秘密载体的信封或者袋牌上应当标明密级、编号和收发件单位名称。
【判断题】
传递国家秘密载体应当通过机要交通、机要通信或指派专人传递，不得通过普通邮政渠道传递
【判断题】
国家秘密文件、资料可以通过普通邮政“特快专递”传送。
【判断题】
不准通过普通邮政、快递传递属于国家秘密的文件、资料和其他物品。
【判断题】
单位收到绝密级载体后应当按照规定的范围组织阅读和使用，并对接触和知悉绝密级国家秘密的人员作出文字记载。
【判断题】
单位内部复制国家秘密载体应当履行审批手续，复制机密级以上国家秘密载体须经部门或单位领导批准，加盖复制戳记，视同原件管理，并进行登记。
【判断题】
因公出差，且两人同行，可以携带密件到购物、餐饮、娱乐等公共场所。
【判断题】
阅读、承办、使用密件，应当在符合保密要求的办公场所进行，严禁擅自携带外出。
【判断题】
传阅秘密公文的人员很多，逐人逐份登记很麻烦，有时可以不登记，收回时自己在文件登记本上画个勾就可以了。
【判断题】
某协作单位工作人员因工作需要借阅协作范围内的绝密级图纸，该单位接待人员电话请示有关领导同意后，就可以为其办理借阅手续。
【判断题】
某领导携带涉密 U 盘参加行业工作会，会议要求报书面材料，因时间紧急，该领导使用涉密 U 盘连接营业性场所计算机打印机密级汇报资料，打印完成后作删除处理即可。
【判断题】
某单位进行文件汇编工作时，少量摘抄某涉密文件，经办人员认为该文件汇编册不涉密，可不标注密级。
【判断题】
涉密人员参加会议带回的秘密文件、资料，应交本单位文秘部门登记、管理。
【判断题】
阅读和使用国家秘密载体应当办理登记、签收手续，管理人员应当随时掌握国家秘密载体的去向。
【判断题】
传达国家秘密事项时，凡不准记录、录音、录像的，应当事先申明。
【判断题】
普通手机处于关机状态下，不存在泄密隐患。
【判断题】
不得使用普通手机短信传送国家秘密信息。
【判断题】
不得使用普通手机中微信、QQ等社交软件谈论、传递国家秘密。
【判断题】
不得在保密要害部门、部位使用普通于机。
【判断题】
个人因公外出，携带国家秘密载体应当采取严格的保密措施。
【判断题】
因工作需要随身携带密件、密品外出时，不得进入购物、餐饮娱乐等公共场所。
【判断题】
领导干部为了工作方便，可以将密件带回家中处理。
【判断题】
工作人员离开办公场所，应当将国家秘密载体存放在保密设备里。
【判断题】
涉密人员在办公场所阅读、承办、使用密件过程中，需要临时离开，无须将密件存放到保密柜中。
【判断题】
绝密级秘密载体必须放置在安全可靠的密码保险柜中保存，并有专人管理。
【判断题】
销毁国家秘密载体，应当采用物理或化学的方法彻底销毁，确保信息无法还原。
【判断题】
在不解密的情况下，机密级、秘密级国家秘密技术成果可以申请公开专利或者由保密专利转为公开专利。
推荐试题
【单选题】
1杂质半导体中多数载流子的浓度取决于___
【单选题】
2在电场作用下，空穴与自由电子运动形成的电流方向___
【单选题】
4下列半导体材料哪一种的热敏性突出“导电性受温度影响最大”？___
A. 本征半导体
B. N型半导体质
C. P型半导体
【单选题】
5用万用表电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000KΩ，这说明该二极管是属于___。
A. 短路状态；
B. 完好状态；
C. 断路状态；
D. 极性搞错。
【单选题】
6稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在___状态。
【单选题】
7三端集成稳压器CW7812的输出电压是___。
【单选题】
8三端集成稳压器CXX7805的输出电压是___
【单选题】
9一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中___。
A. 有微弱电流
B. 无电流
C. 有瞬间微弱电流
【单选题】
10二极管两端正向电压大于___电压时，二极管才导通。
【单选题】
11当温度升高时，二极管的反向饱和电流 ___ 。
A. 增大；
B. 减小；
C. 不变；
D. 无法判定。
【单选题】
12硅二极管的正向导通压降比锗二极管的___ 。
【单选题】
13三端集成稳压器 CW7906的输出电压是___
【单选题】
14稳压管的工作是利用伏安特性中的___。
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 反向击穿特性
【单选题】
15二极管具有___
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 单向导电特性
D. 反向击穿特性
【单选题】
16图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问___灯最亮。
【单选题】
18在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
19在单相桥式整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
20在半波整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
21在半波整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
22温度影响了放大电路中的___，从而使静态工作点不稳定。
A. 电阻；
B. 电容；
C. 三极管；
D. 电源。
【单选题】
23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是___。
A. [B、C、E]
B. [C、B、E]
C. [E、C、B]
【单选题】
24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___
【单选题】
25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
【单选题】
27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为___
A. 放大状态；
B. 截止状态；
C. 饱和状态；
D. 不能确定。
【单选题】
28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
29在以下三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___；
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC ___uB。
【单选题】
32当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uB___uE 。
【单选题】
33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为，，，说明此三极管处在___。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
【单选题】
34若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是___。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结反偏、集电结反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
【单选题】
35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。
A. 电压串联负反馈
B. 电流串联负反馈
C. 电压并联负反馈
【单选题】
38为了使放大器带负载能力强，一般引入___负反馈。
【单选题】
41为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用___负反馈 i=i1+i2
【单选题】
42为了稳定输出电流，采用___负反馈。
【单选题】
43为了改善放大器的动态性能，应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
44为了稳定放大器的静态工作点，应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
