相关试题
【判断题】
未经批准，不得将带有录音、录像、拍照、信息存储功能的设备带入保密要害部门、部位。
【判断题】
涉密会议、活动应当按照“谁承办、谁负责”的原则进行管理。
【判断题】
重要涉密会议、重大涉密活动组织举办者应在必要时，请保密工作机构对保密工作进行监督和指导，并提供必要的安全保密技术服务保障。
【判断题】
保密审查主要是对拟公开发布的信息是否涉及国家秘密进行审查，不需要对是否涉及工作秘密、商业秘密、个人隐私等进行甄别鉴定。
【判断题】
在涉密科研项目结题阶段，要加强成果验收、奖项申报、专利申请等工作的保密管理。
【判断题】
经严格审批，涉及敏感项目（如军工技术、军贸等）的驻外机构和企业可以雇佣外籍人员。
【判断题】
任何组织和个人不得擅自对外提供国家秘密资料。
【判断题】
党的纪律处分条例规定，泄露、扩散或者窃取党组织尚未公开事项或者其他应该保密的内容的，情节较重的，给予开除党籍处分。
【判断题】
“业务工作谁主管，保密工作谁负责”是保密工作的重要原则。
【判断题】
国家秘密的密级分为绝密、机密、秘密三个等级。
【判断题】
绝密级国家秘密是最重要的国家秘密，泄露会使国家的安全和利益遭受特别严重的损害。
【判断题】
机密级国家秘密是重要的国家秘密，泄露会使国家的安全和利益遭受严重的损害。
【判断题】
秘密级国家秘密是一般的国家秘密，泄露会使国家的安全和利益遭受损害。
【判断题】
保守国家秘密是我国公民的一项基本义务。
【判断题】
涉密岗位根据涉及国家秘密的程度分为核心、重要 和一般三个等级。
【判断题】
承担涉密项目研究、建设、管理任务的岗位应确定为重要涉密岗位。
【判断题】
核心涉密岗位是指年产生、处理6件（项）绝密级国家秘密事项的工作岗位。
【判断题】
国防科技工业涉密人员是指取得武器装备科研生产单位保密资格的企业事业单位中，在涉密岗位工作的人员。
【判断题】
涉密人员上岗前要经过保密审查，并接受保密教育培训。
【判断题】
经审查合格，进入涉密岗位的人员须按规定签订保密承诺书，明确享有的权利和应当承诺履行的保密义务。
【判断题】
单位应当定期对涉密人员进行复审，核心涉密人员每年复审一次；重要涉密人员每2年复审一次；一般涉密人员每3年复审一次。
【判断题】
涉密人员在岗期间，保密工作机构应当会同人事部门、涉密人员所在部门有针对性地对其进行保密教育和检查、考核，对严重违反保密规定的应当及时调离涉密岗位。
【判断题】
一般涉密人员与境外人员通婚或者接受境外机构、组织及非亲属人员资助的，事后向单位报告即可。
【判断题】
涉密人员本人或其直系亲属拟申请获得境外永久居留权、长期居留权或外国国籍的应当向单位报告。
【判断题】
涉密人员离岗后，应当遵守脱密期限规定，核心涉密人员脱密期 3年，重要涉密人员脱密期 2年，一般涉密人员脱密期 1年。
【判断题】
涉密人员脱离涉密岗位 3 年内不得在境外驻华机构或者外商独资企业工作。
【判断题】
涉密人员脱密期内不得在境外驻华机构或者外商独资企业工作 ,但可以为境外组织或人员提供劳务咨询或者其他服务。
【判断题】
涉密人员脱密期内不得在国内中外合资企业工作。
【判断题】
涉密人员因私出境应经所在单位同意，还应按照有关规定办理保密审批手续。
【判断题】
涉密人员因公出国（境）的，应该按照行政隶属关系、干部（人事）管理权限和外事管理权限履行审批程序。
【判断题】
涉密人员脱密期内未经批准可以因私出境。
【判断题】
涉密人员离开涉密岗位后，就不再对本人在原涉密岗位上知悉的国家秘密事项承担保密义务。
【判断题】
涉密人员脱密期满后，对所知悉的国家秘密同样承担保密责任和义务。
【判断题】
出境后可能对国家安全造成危害或者对国家利益造成重大损失的涉密人员，不得批准出境。
【判断题】
涉密人员出国（境）期间受到境外机构、组织和人员的礼品馈赠不须向单位报告。
【判断题】
涉密单位应当对聘用的保安和临时工进行保密教育培训。
【判断题】
在私人交往和通信中不得涉及或泄露国家秘密。
【判断题】
配偶、子女和本人都是涉密人员，互相谈论涉密事项没有关系。
【判断题】
各级国家机关、单位对所产生的国家秘密事项,应当按照国家秘密及其密级具体范围的规定及时确定密级。
推荐试题
【单选题】
4下列半导体材料哪一种的热敏性突出“导电性受温度影响最大”？___
A. 本征半导体
B. N型半导体质
C. P型半导体
【单选题】
5用万用表电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000KΩ，这说明该二极管是属于___。
A. 短路状态；
B. 完好状态；
C. 断路状态；
D. 极性搞错。
【单选题】
6稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在___状态。
【单选题】
7三端集成稳压器CW7812的输出电压是___。
【单选题】
8三端集成稳压器CXX7805的输出电压是___
【单选题】
9一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中___。
A. 有微弱电流
B. 无电流
C. 有瞬间微弱电流
【单选题】
10二极管两端正向电压大于___电压时，二极管才导通。
【单选题】
11当温度升高时，二极管的反向饱和电流 ___ 。
A. 增大；
B. 减小；
C. 不变；
D. 无法判定。
【单选题】
12硅二极管的正向导通压降比锗二极管的___ 。
【单选题】
13三端集成稳压器CW7906的输出电压是___
【单选题】
14稳压管的工作是利用伏安特性中的___。
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 反向击穿特性
【单选题】
15二极管具有___
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 单向导电特性
D. 反向击穿特性
【单选题】
16图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问___灯最亮。
【单选题】
18在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
19在单相桥式整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
20在半波整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
21在半波整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
22温度影响了放大电路中的___，从而使静态工作点不稳定。
A. 电阻；
B. 电容；
C. 三极管；
D. 电源。
【单选题】
23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是___。
A. [B、C、E]
B. [C、B、E]
C. [E、C、B]
【单选题】
24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___
【单选题】
25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
【单选题】
27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为___
A. 放大状态；
B. 截止状态；
C. 饱和状态；
D. 不能确定。
【单选题】
28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
29在以下三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___；
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC ___uB。
【单选题】
32当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uB___uE 。
【单选题】
33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为，，，说明此三极管处在___。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
【单选题】
34若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是___。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结反偏、集电结反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
【单选题】
35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。
A. 电压串联负反馈
B. 电流串联负反馈
C. 电压并联负反馈
【单选题】
38为了使放大器带负载能力强，一般引入___负反馈。
【单选题】
41为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用___负反馈 i=i1+i2
【单选题】
42为了稳定输出电流，采用___负反馈。
【单选题】
43为了改善放大器的动态性能，应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
44为了稳定放大器的静态工作点，应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
45共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路___能力。
A. 放大差模抑制共模
B. 输入电阻高
C. 输出电阻低
【单选题】
46差分放大电路是为了___而设置的。
A. 稳定Au
B. 放大信号
C. 抑制零点漂移
【单选题】
47分析运放的“虚短”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. U0=Ui
D. U-≈U+≈0
