【填空题】
240 效益审计检查和评价的是被审计单位___项目)管理和使用资源的___。
查看试卷,进入试卷练习
微信扫一扫,开始刷题
相关试题
【填空题】
241 在利用外部专家工作时,对利用外部专家工作结果所形成的审计结论负责的应该是___。
【填空题】
242 审计组审计报告的报告对象是___
【填空题】
243 审计工作报告的报告对象是___
【填空题】
244 具体承办审计事项的审计人员或审计组织在实施审计后,就审计工作的结果向其委托人、授权人提交的书面文件是___。
【填空题】
245 审计组的审计报告送达被审计对象征求意见后,被审计对象提交书面意见的时限是接到审计报告之日起___日内。
【填空题】
246 通常,社会审计报告的收件人是___。
【填空题】
247 审计组成员负责审计工作底稿的___
【填空题】
248 审计人员采用各种方法收集的审计证据均应标明来源,并由提供者___。
【填空题】
249 审计人员依法取得的用以证明审计事项真相并作为形成审计结论基础的证明材料是___
【填空题】
250 误拒风险和信赖不足风险可能影响___。
【填空题】
251 属性抽样中,如果其他条件不变,审计人员预计的总体误差率提高,则所需样本量___。
【填空题】
252 在审计过程中,由于审计程序设计和使用不当,审计方法选择不合理,审计人员工作疏忽等原因造成的审计风险属于___。
【填空题】
253 在国家审计中,负责对审计报告,审计决定书进行复核的机构是___
【填空题】
254 对审计目标的确定有最直接影响的是___
【填空题】
255 审计报告和审计决定书签发之前,应经过审定。原则上审计报告、审计决定书的审定主体应当是___。
【填空题】
256 审计报告阶段的主要工作有___
【填空题】
257 按照国家审计准则的规定,可以不进行可行性研究作为必选审计项目列入年度审计项目计划的是___。
【填空题】
258 根据我国国家审计准则的规定,审计组试行___
【填空题】
259 社会审计人员在执行审计业务时,必须在第三者面前呈现一种独立于被审计单位的身份和形象,这种独立称为___
【填空题】
261 国际审计准则的制定机构是___
【填空题】
262 根据国家审计准则规定,对审计项目实施结果承担最终责任的是___
【填空题】
264 审计组织在财务报表审计中所负的审计责任是___
【填空题】
265 国家审计人员的法律责任主要体现在___
【填空题】
266 社会审计人员未按协议书规定的时间提交审计报告,审计人员应负的责任是___。
【填空题】
267 在第二次国内革命战争时期,中国共产党领导下的革命根据地颁布《审计条例},实行审计监督制度,成立了___。
【填空题】
268 国家审计机关针对被审计单位的某种严重经济违法乱纪行为进行的财经法纪审计是___。
【填空题】
269 按实施审计的范围,可以将审计划分为___
【填空题】
270 对计划、预算和决策进行审查,包括对被审计单位的计划、方案和预算的编制、投资方案的选择、经营决策的制定及其可行性研究报告等进行审查的审计是___。
【填空题】
271 审计产生和发展的社会基础是___
【填空题】
272 设立审计司和审计院,标志着我国用"审计"一词命名的审计机构产生是在___。
【填空题】
274 编写审计报告、发表审计意见或做出审计决定的依据是___
【填空题】
275 检查财务报表中数字及勾稽关系是否正确可以实现的审计具体目标是___
【填空题】
276 针对审计项目具体内容确定的审计目的、并对总体审计目标予以细化的是___
【填空题】
277 在审计证据中占主要部分,数量多,来源广的审计证据是___
【填空题】
278 符合性测试应尽可能安排在___进行
【填空题】
279 审计证据的相关性是指审计证据必须与___相关
【填空题】
280 审计准则最早产生于___的民间审计领域。
推荐试题
【单选题】
33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为,,,说明此三极管处在___。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
【单选题】
34若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是___。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结反偏、集电结反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
【单选题】
35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。
A. 电压串联负反馈
B. 电流串联负反馈
C. 电压并联负反馈
【单选题】
38为了使放大器带负载能力强,一般引入___负反馈。
【单选题】
41为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用___负反馈 i=i1+i2
【单选题】
42为了稳定输出电流,采用___负反馈。
【单选题】
43为了改善放大器的动态性能,应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
44为了稳定放大器的静态工作点,应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
45共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路___能力。
A. 放大差模抑制共模
B. 输入电阻高
C. 输出电阻低
【单选题】
46差分放大电路是为了___而设置的。
A. 稳定Au
B. 放大信号
C. 抑制零点漂移
【单选题】
47分析运放的“虚短”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. U0=Ui
D. U-≈U+≈0
【单选题】
48分析运放的“虚断”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. I-≈I+
D. U-≈U+≈0
【单选题】
51两级放大电路,Au1=-40,Au2=-50,若输入电压U1=5mv,则输出电压Uo为 ___
A. -200mv;
B. -250mV;
C. 10V;
D. 100V
【单选题】
52通用型集成运放的输入级多采用___。
A. 共基接法
B. 共集接法
C. 共射接法
D. 差分接法
【单选题】
53理想运放的两个重要性质是___。
A. 虚短与虚地
B. 虚断与虚短
C. 断路与短路
【单选题】
54振荡器的输出信号最初由___而来的。
A. 基本放大器
B. 选频网络
C. 干扰或噪声信号
【单选题】
55产生正弦波自激震荡的稳定条件是___。
A. 引入正反馈
B. |AF|≥1
C. AF=1
【单选题】
56从结构上来看,正弦振荡电路是一个 ___ 。
A. 有输入信号的负反馈放大器;
B. 没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器;
C. 没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。
【单选题】
57对频率稳定度要求较高的振荡器,要采用: ___ 。
A. LC振荡电路;
B. RC振荡电路;
C. RL振荡电路;
D. 石英晶体振荡电路。
【单选题】
58在甲类、乙类、甲乙类放大电路中,其导通角分别为___
A. 小于180 O、180 O、360O
B. 360O、180 O、小于180 O。
C. 180 O、小于180 O、360O
【单选题】
W78XX系和列W79XX系列引脚对应关系为 ___ 。
A. 一致;
B. 1脚与3脚对调,2脚不变;
C. 1、2对调。
【单选题】
60两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ___ 。
【单选题】
1三极管的开关特性是___。
A. 截止相当于开关接通
B. 放大相当于开关接通
C. 饱和相当于开关接通
D. 截止相当于开关断开,饱和相当于开关接通
【单选题】
2数字集成门电路,目前生产最多应用最普遍的门电路是___
【单选题】
3由一个三极管组成的基本门电路是___。
【单选题】
4在遥测系统中,需通过___把非电量的变化转变为电信号。
A. 电阻器、
B. 电容器、
C. 传感器、
D. 晶体管
【单选题】
5半导体发光数码管由___个条状的发光二极管组成。
【单选题】
6“有0出1,全1出0”属于___
A. 与逻辑
B. 或逻辑
C. 非逻辑
D. 与非逻辑
【单选题】
7二进制数11101转化成十进制数为___
【单选题】
8TTL系列集成芯片工作电源电压的典型值是___。
A. 18V
B. 5V
C. 3V
D. 10V
【单选题】
10以下表达式中符合逻辑运算法则的是___。
A. 1+1=10
B. A+A=2A
C. A+=1.
D. A·=1
【单选题】
11对于TTL与非门闲置输入端的处理,不可以___
A. 与有用输入端并联
B. 通过电阻3kΩ接电源
C. 接地
D. 接电源
【单选题】
12十线/四线优先编码器74LS147所用的输出代码为___。
A. 5421BCD码
B. 格雷码
C. 8421BCD码
D. 余3码
【单选题】
14和逻辑式A+ABC相等的式子是___
【单选题】
15逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是___
A. 真值表
B. 表达式
C. 逻辑图
D. 卡诺图
【单选题】
16与模拟电路相比,数字电路主要的优点是___。
A. 容易设计
B. 通用性强
C. 抗干扰能力强
【单选题】
18以下电路中常用于总线应用的有___。
A. TSL门
B. OC门
C. 漏极开路门
D. CMOS与非门