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【单选题】
[2]下列几种标准溶液一般采用直接法配制的是___。
A. KMnO4标准溶液
B. I2标准溶液
C. K2Cr2O7标准溶液
D. Na2S2O3标准溶液
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答案
C
解析
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相关试题
【单选题】
[2]下列关于硫酸铈法的说法不正确的是___。
A. 硫酸铈标准溶液可直接配制
B. Ce4+被还原为Ce3+,只有一个电子转移,不生成中间价态产物
C. 在酸度低于Imol/L时,磷酸对测定无干扰
D. 可在盐酸介质中直接滴定Fe2+,Cl-无影响
【单选题】
[2]标定KMnO4时,第1滴加入没有褪色以前,不能加入第2滴,加入几滴后,方可加快滴定速度原因是___。
A. KMnO4自身是指示剂,待有足够KMnO4时才能加快滴定速度
B. O2为该反应催化剂,待有足够氧时才能加快滴定速度
C. Mn2+为该反应催化剂,待有足够Mn2+才能加快滴定速度
D. MnO2为该反应催化剂,待有足够MnO2才能加快滴定速度
【单选题】
[2]软锰矿主要成分是MnO2,测定方法是过量Na2C2O4与试样反应后,用KMnO4标准溶液返滴定过剩的C2O42-,然后求出MnO2含量。不用还原剂标准溶液直接滴定的原因是___。
A. 没有合适还原剂
B. 没有合适指示剂
C. 由于MnO2是难溶物质,直接滴定不适宜
D. 防止其他成分干扰
【单选题】
[2]在酸性介质中,周KMnO4溶液滴定草酸盐溶液时,滴定应___。
A. 像酸碱滴定那样快速进行
B. 始终缓慢地进行
C. 在开始时缓慢,以后逐步加快,近终点时又减慢滴定速度
D. 开始时快,然后减慢
【单选题】
[3]下列氧化还原滴定指示剂属于专属的是___。
A. 二苯胺磺酸钠
B. 次甲基蓝
C. 淀粉溶液
D. 高锰酸钾
【单选题】
Ce4+滴定Fe2+时,最适宜的指示剂为___。
A. 二苯胺磺酸钠(φθ′㏑=0.84V)
B. 邻苯胺基苯甲酸(φθ′㏑=0.89V)
C. 邻二氮菲-亚铁(φθ′㏑=1.06V)
D. 硝基邻二氮菲-亚铁(φθ′㏑=1.25V)
【单选题】
[2]用Na2C2O4标定高锰酸钾中,刚开始时褪色较慢,但之后褪色变快的原因是___。
A. 温度过低
B. 反应进行后,温度升高
C. Mn2+催化作用
D. 高锰酸钾浓度变小
【单选题】
[2]为减小间接碘量法的分析误差,下面哪些方法不适用___。
A. 开始慢摇快滴,终点快摇慢滴
B. 反应时放置于暗处
C. 加入催化剂
D. 在碘量瓶中进行反应和滴定
【单选题】
[2]下列几种标准溶液一般采用直接法配制的是___。
A. KMnO4标准溶液
B. I2标准溶液
C. K2Cr2O7标准溶液
D. Na2S2O3标准溶液
【单选题】
[3]标定Na2S2O3溶液的基准试剂是___。
A. Na2 C2 04
B. (NH4)2C2O4
C. Fe
D. K2CrO7
【单选题】
[2]在酸性介质中,用KMnO4溶液滴定草酸盐溶液,滴定应___。
A. 在室温下进行
B. 将溶液煮沸后即进行
C. 将溶液煮沸,冷至85℃进行
D. 将溶液加热到75~85℃时进行
【单选题】
[2]在能斯特方程式的物理量中,既可能是正值,又可能是负值的是___。
A. T
B. R
C. n
D. E
【单选题】
[2]在拟定氧化还原滴定滴定操作中,不属于滴定操作应涉及的问题是___。
A. 滴定速度和摇瓶速度的控制
B. 操作过程中容器的选择和使用
C. 共存干扰物的消除
D. 滴定过程中溶剂的选择
【单选题】
[2]碘量法测定CuSO4含量,试样溶液中加入过量的KI,下列叙述其作用错误的是___。
A. 还原Cu2+为Cu+
B. 防止I2挥发
C. 与Cu+形成CuI沉淀
D. 把CuSO4还原成单质Cu
【单选题】
[2] Pb2+ +Sn=Pb + Sn2+反应,已知EθPb2+/Pb=-0.13V、φθSn2+/Sn= -0.14V,在标准状态下,反应向___进行,当[Pb2+] =0.50mol/L时,反应又向( )进行。
A. 左、左
B. 左、右
C. 右、右
D. 右、左
【判断题】
[2]溶液的酸度越高,KMnO4氧化草酸钠的反应进行得越完全,所以用基准草酸钠标定KMn04溶液时,溶液的酸度越高越好
A. 对
B. 错
【判断题】
[3]氧化数在数值上就是元素的化合价
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]氧化还原滴定中,影响电势突跃范围大小的主要因素是电对的电势差,而与溶液的浓度几乎无关
A. 对
B. 错
【判断题】
ΨCu2+/Cu和ΨFe3+/Fe的值都不变
A. 对
B. 错
【判断题】
应方向进行
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]氧化还原反应次序是电极电位相差最大的两电对先反应
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]氧化还原反应中,两电对电极电位差值越大,反应速率越快
A. 对
B. 错
【判断题】
[3]标定KMnO4溶液的基准试剂是碳酸钠
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]错KMnO4标准溶液测定MnO2含量,用的是直接滴定法
A. 对
B. 错
【判断题】
KMnO4滴定C2O42-时,必须加热至沸腾才能保证正常滴定
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]直接碘量法以淀粉为指示剂滴定时,指示剂须在接近终点时加入,终点是从蓝色变为无色
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]用碘量法测定铜盐中铜的含量时,除加入足够过量的KI外,还要加入少量KSCN,其目的是提高滴定的准确度
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]间接碘量法要求在暗处静置溶液,是为了防止I-被氧化
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]铜锌原电池的符号为(一)Zn对/Zn2+(0.1mol/L)|对Cu2+(0.1mol/L)对Cu(+)
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]由于KMnO4性质稳定,可作基准物直接配制成标准溶液
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]配制好的KMnO4溶液要盛放在棕色瓶中保护,如果没有棕色瓶应放在避光处保存
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]用Na2C2O4标定KMnO4,需加热到70~80℃,在HCl介质中进行
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]配制好的Na2S2O3标准溶液应立即用基准物质K2Cr2O7标定
A. 对
B. 错
【判断题】
[3]配制好的Na2S2O3应立即标定
A. 对
B. 错
【判断题】
[3]错KMnO4标准滴定溶液是直接配制的
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]用间接碘量法测合金中的Cu含量时由于CuI吸附I2使测定结果偏低
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]用高锰酸钾法进行氧化还原滴定时,一般不需另加指示剂
A. 对
B. 错
【判断题】
Ce(SO4)对2
A. 对
B. 错
【判断题】
[2]直接碘量法主要用于测定具有较强还原性的物质,间接碘量法主要用于测定具有氧化性的物质
A. 对
B. 错
【判断题】
[3]原电池中,电子由负极经导线流到正极,再由正极经溶液到负极,从而构成了回路
A. 对
B. 错
推荐试题
【单选题】
普通屏蔽线适用于工作频率___ kHz以下。
A. 10
B. 20
C. 30
D. 40
【单选题】
对变化缓慢的模拟信号可以采用___抑制干扰。
A. RC 低通滤波
B. 铁氧体磁环
C. 并联终端电阻
D. 电路端并联电容
【单选题】
由于环境温度过高,造成数控装置内温度超过___ ℃ 时应及时加装空调装置。
A. 65 ~70
B. 55 ~60
C. 45~50
D. 70 ~75
【单选题】
交换机常用的三种交换技术: ___、帧交换和信元交换。
A. 端口交换
B. 速率交换
C. 数据包交换
D. 地址交换
【单选题】
铁氧体用于抑制___干扰。
A. 电磁
B. 电弧
C. 电磁辐射
D. 电磁噪声
【单选题】
下列说法错误的是___。
A. 按需屏蔽的干扰场的性质不同,可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽
B. 隔离是指把干扰源与接收系统隔离开来,使有用信号正常传输
C. 接地不是抗干扰的措施,是保护措施
D. 滤波技术用来抑制沿导线传输的传导干扰,主要用于电源干扰和信号线干扰抑制
【单选题】
采用隔离变压器和电源变压器的屏蔽层可以消除___ kHz 以下的干扰。
A. 1 0
B. 20
C. 30
D. 40
【单选题】
在信号线上,安装数据线路滤波器,有效抑制___干扰。
A. 低频共模
B. 高频共模
C. 低频差模
D. 高频差模
【单选题】
TCP / IP 体系共分成四个层次,它们分别是: ___、网络层、运输层和应用层。
A. 物理层
B. 会话层
C. 表示层
D. 网络接口层
【单选题】
网络适配器 NIC ( Network InteifACeC 训)也就是俗称的___。
A. 路由器
B. 交换机
C. 网卡
D. 网关
【单选题】
Rs485 传输技术中采用的电缆是___。
A. 普通多股铜线
B. 屏蔽双绞铜线
C. 双绞铜线
D. 光纤线
【单选题】
在修理工作中,要按照设备___进行修复,严格把握修理的质量关,不得降低设备原有的性能。
A. 原始数据和精度要求
B. 损坏程度
C. 运转情况
D. 维修工艺要求
【单选题】
在检修或更换数控系统 CMOS 电池时,应在___情况进行。
A. 通电
B. 开机
C. 停机
D. 断电
【单选题】
一个局域网通常由四个部分组成,它们分别是:月民务器、工作站、通信设备和___。
A. 路由器
B. 网桥
C. 通信协议
D. 网关
【单选题】
滤波技术用来抑制沿导线传输的___干扰。
A. 电磁
B. 传导
C. 电流
D. 脉冲
【单选题】
根据不同要求,感性负载两端也可并联电阻、___、二极管等,吸收关断时产生强烈的脉冲噪声。
A. 电容
B. 光敏电阻
C. 热敏电阻
D. 压敏电阻
【单选题】
___是培训与指导直观性的教学形式,是实践教学极为重要的教学手段。
A. 讲解法
B. 操作训练法
C. 示范操作法
D. 电化教学
【单选题】
相对标号法就是在每个接线端子处标明它所联结对象的编号,以表明两者之间相互连接关系的一种方法。此方式中,在某一元件端子上所连接的导线上的标识的含义为___。
A. 导线的另一端的元件端子的标号
B. 本元件端子的标号
C. 本元件的线路编号
【单选题】
主电路接线端子代号的编制主电路接线端子代号采用___数字来标志。
A. 一位数字
B. 两位数字
C. 用本元件名称
【单选题】
在进行导线测量时,实际上是电阻测量,测量时应正确选择万用表的电阻挡位。对指针式万用表,其挡位应选择___。
A. Rx10
B. Rxl00
C. Rx1
【单选题】
在电气设计中,我们应尽量将连接到开关元件的导线设计成___。
A. 等电位的
B. 不等电位的
C. 与电位无关的
【单选题】
对于___的可逆线路中,正、反向接触器之间不仅要有电器联锁,而且要有机械联锁。
A. 频繁操作的
B. 不频繁操作的
C. 两地操作
【单选题】
对在一个控制箱里___的元件,比如继电器、接触器、小型断路器等,应当有 l 一 2 只备用元件,以方便维护。
A. 手动控制元件
B. 使用较多而、动作比较频繁
C. 进口元件
【单选题】
工作接地方式有浮点、单点接地和___。
A. 多点接地
B. 保护接地
C. 屏蔽接地
【单选题】
对于复杂机械设备的维修成功率,在很大程度上要依靠___、维修人员遇到过的问题、解决过的故障越多,其维修经验也就越丰富。
A. 对电路的分析
B. 平时经验的积累
C. 了解元件的性能
【单选题】
电机扩大机 K 在该直流控制系统中就是一个___。
A. 放大器
B. 励磁机
C. 直流发电机
【单选题】
在 A 系列龙门刨床电气控制电路中,引起电动机转速振荡的原因,从本质上来说,是因为___。
A. 发电机励磁绕组存在电磁惯性和电动机及由它拖动的部分存在机械惯性的缘故
B. 励磁机电压不稳定
C. 扩大机性能变坏
【单选题】
在 xNZO10 型龙门铣床电气控制系统中,测速发电机的作用是___。
A. 稳定输出电压
B. 稳定输出电流
C. 稳定电机转速
【单选题】
在设备的保养工作中,二级保养___进行一次。
A. 一年
B. 三年
C. 三个月
D. 六个月
【单选题】
电气设备的计划预修分为设备的___两个方面。
A. 设备的保养和设备的维修
B. 设备的保养和设备小修
C. 设备的一级保养和二级保养。
【单选题】
编制程序是根据编制计划的各项依据,由___、一般于当年的 10 月份左右,上报本单位资产管理部门。
A. 操作者提出
B. 生产车间的设备分管领导和设备维修人员共同提出
C. 修理人员提出。
【单选题】
项修的工作标准和内容对于被修项,应参考___的基本要求来实施。
A. 大修
B. 小修
C. 修理人员
D. 设备使用人员
【单选题】
设备修理计划的编制的依据为___。
A. l )设备的运转周期 2 )检修间隔期 3 )、设备年度技术状况普查和维修情况资料 4 )生产工艺及产品质量对设备精度和控制、安全等方便的要求
B. 1 )、设备的运转周期 2 )操作者的申请 3 )维修人员的申请 4 )生产工艺及产品质量对设备精度和控制、安全等方便的要求
C. l )设备的运转周期 2 )操作者的申请 3 )电气维修人员的申请 4 )设备生产方的申请
【单选题】
大修计划和项修计划,由___。
A. 企业资产管理部门负责组织实施
B. 设备使用部门组织实施
C. 由维修人员和操作者组织实施
【单选题】
修订计划的申请有时间限制,申请修订年度计划,要在___提出。
A. 三个月前
B. 六个月前
C. 一个月前
【单选题】
14、牵引机械(如电车、机械车、电瓶车)及大型轧钢机中,一般都采用直流电动机而不是异步电动机,原因是异步电动机的___。
A. 功率因素低
B. 调速性能很差
C. 起动转矩较小
D. 起动电流太大
【单选题】
热电偶输出的___、是从零逐渐上升到相应的温度后,不再上升而呈平台值。
A. 电阻值
B. 阻抗值
C. 电压值
D. 热电势
【单选题】
用晶体管图示仪测量晶体管时,调节___可以改变特性曲线簇之间的间距。
A. 阶梯选择
B. 功耗电阻
C. 集电极一基极电流/电位
D. 峰值范围
【单选题】
在过滤变压器油时,应先检查滤油机完好,并___、滤油现场应严禁烟火。
A. 接好电源
B. 接好地线
C. 做好绝缘防护
D. 断电操作
【单选题】
___会有规律地控制逆变器中主开关的通断,从而获得任意频率的三相输出。
A. 斩波器
B. 变频器
C. 变频器中的控制电路
D. 变频器中的逆变器
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