【判断题】
机关、单位对知悉机密级以上国家秘密的人员，应当作出书面记录
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【判断题】
根据《保密标准》要求，在岗涉密人员每年参加保密教育与保密知识、技能培训的时间不少于10个学时
【判断题】
资质单位可以将涉密信息系统集成业务分包或者转包给无相应资质的单位
【判断题】
在涉密项目中，从事现场项目开发、工程施工、运行维护的人员应当是资质单位确定的涉密人员
【判断题】
甲级资质单位保密管理经费，年度标准不少于3万元
【判断题】
资质单位股权结构发生变更的，在事项变更后向作出审批决定的保密行政管理部门提交变更方案即可
【判断题】
被撤销资质的单位，在撤销决定下达前已签订有效合同的，在确保安全保密的情况下可以继续完成涉密信息系统集成业务
【判断题】
涉密信息系统集成项目完成后，资质单位应当向项目所在地省、自治区、直辖市保密行政管理部门书面报告项目建设情况
【判断题】
涉密信息设备的维修，应当一律在本单位内部进行
【判断题】
涉密计算机安全保密防护软件和设备不可以擅自卸载
【判断题】
涉密计算机可以接入互联网等公共信息网络
【判断题】
涉密计算机可以使用无线网卡、无线鼠标、无线键盘等无线设备
【判断题】
移动存储介质可以在涉密计算机和非涉密计算机之间交叉使用
【判断题】
涉密打印机不得采用无线方式与涉密计算机相连
【判断题】
涉密文件、资料打印应进行审计记录；涉密文件扫描应履行审批程序
【判断题】
涉密网络需要经过国家保密行政管理部门设立或者授权的保密测评机构评估才可以投入使用
【判断题】
涉密网络需要设置专门的机构或人员负责运行维护
【判断题】
非涉密网络可以储存、处理、传递涉密信息
【判断题】
保密要害部门、部位不可以使用无绳电话和手机，未经批准不得带入有录音、录像、拍照、信息存储等功能的设备
【判断题】
参加涉密会议、活动的人员可以自行委托其他人员代替参加会议
【判断题】
如有必要，参加涉密会议时可以携带手机和其它无线设备进入会议、活动场所，但需履行审批手续
【判断题】
涉密工程可以公开招标但需要签订保密协议
【判断题】
资质单位的法定代表人变动的，应当向作出审批决定的保密行政管理部门报告
【判断题】
涉密人员脱离涉密岗位3年内不得在境外驻华机构或外商独资企业工作
【判断题】
涉密人员分为绝密涉密人员、机密涉密人员和秘密涉密人员
【判断题】
被撤销或者注销资质的单位，自撤销或者注销决定下达之日起，不得签订新的涉密信息系统集成业务合同
【判断题】
某领导携带涉密优盘参加行业工作会，会议要求报书面材料，因时间紧急，该领导使用涉密优盘连接营业性场所计算机打印了机密级汇报资料，该领导的做法是合理合法的
【判断题】
因公出差，且两人同行，可以携带密件到购物、餐饮、娱乐等公共场所
【判断题】
工作人员离开办公场所，应当将涉密载体存放在保密设备里
【判断题】
不得将未进行安全技术处理的退出使用的涉密计算机赠送、出售、丢弃或改作其他用途
【判断题】
甲级资质单位可以在全国范围内从事绝密级、机密级、秘密级涉密信息系统集成业务
【判断题】
一切国家机关、武装力量、社会团体、企业事业单位和公民都有保守国家秘密的义务
【判断题】
变更密级或解密，应由原定密机关、单位决定，也可由其上级机关决定
【判断题】
涉密计算机信息系统不得与国际互联网或其它公共信息网络连接，必须实行物理隔离
推荐试题
【单选题】
如右图所示电路中，已知各支路的电流I1=I2=10A， 则电路的总电流I为___。
A. 20A
B. 0 A
C. 14.1A
D. 50A
【单选题】
1杂质半导体中多数载流子的浓度取决于___
【单选题】
2在电场作用下，空穴与自由电子运动形成的电流方向___
【单选题】
4下列半导体材料哪一种的热敏性突出“导电性受温度影响最大”？___
A. 本征半导体
B. N型半导体质
C. P型半导体
【单选题】
5用万用表电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000KΩ，这说明该二极管是属于___。
A. 短路状态；
B. 完好状态；
C. 断路状态；
D. 极性搞错。
【单选题】
6稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在___状态。
【单选题】
7三端集成稳压器CW7812的输出电压是___。
【单选题】
8三端集成稳压器CXX7805的输出电压是___
【单选题】
9一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中___。
A. 有微弱电流
B. 无电流
C. 有瞬间微弱电流
【单选题】
10二极管两端正向电压大于___电压时，二极管才导通。
【单选题】
11当温度升高时，二极管的反向饱和电流 ___ 。
A. 增大；
B. 减小；
C. 不变；
D. 无法判定。
【单选题】
12硅二极管的正向导通压降比锗二极管的___ 。
【单选题】
13三端集成稳压器 CW7906的输出电压是___
【单选题】
14稳压管的工作是利用伏安特性中的___。
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 反向击穿特性
【单选题】
15二极管具有___
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 单向导电特性
D. 反向击穿特性
【单选题】
16图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问___灯最亮。
【单选题】
18在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
19在单相桥式整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
20在半波整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
21在半波整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
22温度影响了放大电路中的___，从而使静态工作点不稳定。
A. 电阻；
B. 电容；
C. 三极管；
D. 电源。
【单选题】
23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是___。
A. [B、C、E]
B. [C、B、E]
C. [E、C、B]
【单选题】
24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___
【单选题】
25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
【单选题】
27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为___
A. 放大状态；
B. 截止状态；
C. 饱和状态；
D. 不能确定。
【单选题】
28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
29在以下三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___；
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC ___uB。
【单选题】
32当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uB___uE 。
【单选题】
33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为，，，说明此三极管处在___。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
【单选题】
34若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是___。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结反偏、集电结反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
【单选题】
35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。
A. 电压串联负反馈
B. 电流串联负反馈
C. 电压并联负反馈
【单选题】
38为了使放大器带负载能力强，一般引入___负反馈。
【单选题】
41为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用___负反馈 i=i1+i2
【单选题】
42为了稳定输出电流，采用___负反馈。
【单选题】
43为了改善放大器的动态性能，应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
